多晶硅還原爐是提煉多晶硅棒的專用設備，高壓啟動方式要求首先施高壓擊穿，使純硅成為電阻率較低的導體，進而提升導通電流速度，使硅芯內部溫度快速上升，大大縮短啟動時間，提高生產效率。故而需要耐高溫的高絕緣性陶瓷材料，防止高溫高壓下絕緣失效，造成電擊穿。傳統氧化鋁材質由于自身性能限制，使用壽命很短，故而氮化硅陶瓷材料成為其首選。

  最新一代優質多晶硅還原爐/氫化爐用高壓電極絕緣環、保護套、隔熱罩、絕緣套筒，采用氣壓燒結氮化硅，絕緣性好、韌性高、耐高溫、強度高、抗熱震，可防止倒棒時破壞電極，比氧化鋁材質的同類產品壽命長10倍以上，減少停爐損失和更換成本，節約操作時間，降低勞動強度，綜合效益提高3倍。已在國內得到廣泛應用，與進口產品性能相當，獲得客戶一致好評。是國內廣大多晶硅廠家提升產品質量，降低生產成本，提高生產效率的首選。

常規尺寸：

根據圖紙生產

優點：

1. 冷等靜壓成型

2.氣壓燒結

3.高抗壓強度與抗折強度

4. 低熱膨脹系數

5.優良的抗熱震性能

6.電絕緣性優良

7.強耐電沖擊性

產品指標：

參數：氣壓燒結氮化硅

密度：>3.2g/cm3

Si3N4 含量：>92%

抗折強度：>600Mpa

抗壓強度：>1500Mpa

導熱系數(W/mk)：16-22

氣孔率：0

熱膨脹系數(RT-1000℃)：3.2

最高工作溫度（空氣 中）：1400℃

硬度(HRA)：>92